第四代宽禁带金属氧化物半导体的高精度传感器芯片
项目背景
当前人工智能时代面临海量数据处理需求，而传统冯·诺依曼计算架构存在并行处理瓶颈。项目聚焦第四代宽禁带金属氧化物半导体（如氧化镓、氧化锌），其具有超宽带隙、高电子迁移率等特性，适用于新型神经形态器件与高精度传感器芯片的研发，符合后摩尔时代微电子技术发展方向，并为我国在半导体领域实现技术突破和产业自主可控提供重要路径。
简介
项目通过“产学研用”协同模式，系统开展材料研究、器件设计、电路集成及产业化推广。具体包括：采用溶液法制备金属氧化物薄膜与突触晶体管；构建专利导航与风险预警机制；布局高价值专利组合；推动成立初创企业（华芯云睿微电子），实现芯片设计、制造、封测全链条协同；并通过开放许可、技术转让、概念验证等方式促进知识产权运营与成果转化。
合作
- 合作方式 投融资
- 项目负责人 赵春
技术优势
团队为国际首批开展第四代半导体研究的团队之一，已积累超过160篇高水平论文与多项核心专利；研发的温度传感器芯片在测温范围、精度（±0.12℃）、灵敏度（8500ppm/K）等关键指标上优于国内外同类产品；核心成员兼具学术前沿研究与产业经验，并与华芯邦等产业集团协同，具备从研发到量产的完整能力；项目已获苏州工业园区科技领军人才支持，并成为西交利物浦大学首次孵化的教授主导科技企业，享有政策与平台双重优势。
应用场景
项目瞄准国产高端传感器芯片替代的千亿级市场，已在工业、消费电子、医疗器械、新能源汽车等领域与多家企业达成意向采购。发展规划清晰，计划至2027年实现数亿颗芯片出货，营收突破5亿元，并逐步拓展至气体、压力等多类传感器。项目通过分阶段融资（天使轮至Pre-IPO）、股权激励与西浦知识产权入股等方式，构建可持续发展模式，有望成为区域半导体产业生态的重要创新载体。
对应课题
项目执行期为2022年8月至2025年8月，分三个阶段推进研发与知识产权运营：首年聚焦材料研究与专利布局；次年优化器件性能并启动产品样机开发；第三年拓展应用场景并完成技术转化。同步规划企业孵化与融资路径，2024–2027年逐步完成多轮融资，实现芯片量产与市场拓展，最终形成具有自主知识产权的高价值专利组合与可复制的“高校—产业—资本”协同转化模式。
知识产权
累计申请发明专利41项，其中已授权14项；累计申请PCT国际专利4项，其中美国授权1项。
