刘 雯
教授 电子与电气工程系 Wen.Liu@xjtlu.edu.cn
刘雯教授，西浦智能工程学院电子与电气工程系博士生导师，西浦先进半导体研究中心执行主任，英国高等教育协会会士，第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)青年创新促进委员会委员，IEEE高级会员，江苏省电源学会会员。刘雯博士在国际专业期刊发表SCI论文40余篇，会议论文50余篇，常年参与IEEE EDL\TED\Applied Physics Letters 等期刊审稿，是IEEE EDL金牌审稿人。其申请发明专利20余件，已授权6件，编制行业标准2项，主持了十余项各级研发项目，包括国家重点研发计划、华为公司横向课题等，2018年以来作为项目负责人已获经费超过800万元。
发表文献
  • A. Li et al., "A Supply Voltage Insensitive Two-Transistor Temperature Sensor With PTAT/CTAT Outputs Based on Monolithic GaN Integrated Circuits," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 38, no. 9, pp. 10584-10588, Sept. 2023, doi: 10.1109/TPEL.2023.3288937.
  • Yuhao Zhu et al "A 35 V - 5 V Monolithic integrated GaN-based DC-DC Floating Buck Converter" 2023 Semicond. Sci. Technol. 38 095001
  • Y. Zhu, Fan Li, M Cui, Z. Fang, Ang Li, Y. Dong, Yinchao Zhao, Huiqing Wen, and Wen Liu*., "Monolithic Dual-Gate E-Mode Device-Based NAND Logic Block for GaN MIS-HEMTs IC Platform," in IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 11, pp. 230-234, 2023, doi: 10.1109/JEDS.2023.3265372.
  • Ang Li, Yi Shen, Ziqian Li, Fan Li, Sun, R., Ivona Z. Mitrovic, Huiqing Wen, Lam, S., Wen Liu* . A 4-Transistor Monolithic Solution to Highly Linear On-chip Temperature Sensing in GaN Power Integrated Circuits. IEEE Electron Device Letters, vol. 44, no. 2, pp. 333-336, Feb. 2023, doi: 10.1109/LED.2022.3226684.
  • Yuanlei Zhang, Zhiwei Sun, Weisheng Wang, Ye Liang, Miao Cui, Yinchao Zhao, Huiqing Wen, Wen Liu*, “Low-Resistance Ni/Ag Ohmic Contacts on GaN-based p-Channel Heterojunction Field-Effect Transistor”, IEEE Transactions on Electron Devices. vol. 70, no. 1, pp. 31-35, Jan. 2023, doi: 10.1109/TED.2022.3225367.
  • Q Wang, S Duan, J Qin, Y Sun, S Wei, P Song, W Liu, Dynamic residual deep learning with photoelectrically regulated neurons for immunological classification.- Cell Reports Physical Science, 2023
  • Y Liang, Y Zhang, Jingqun Zhang, Xiuyuan He, Y Zhao, Miao Cui, Huiqing Wen, Mingxiang Wang*, Wen Liu*, "Characterization of Oxide Trapping in SiC MOSFETs Under Positive Gate Bias," in IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 10, pp. 920-926, 2022, doi: 10.1109/JEDS.2022.3212697.
  • Guangze Zu, Huiqing Wen, Yinxiao Zhu, Rui Zhong , Qinglei Bu, Wen Liu, Yinchao Zhao, and Miao Cui, "Review of Pulse Test Setup for the Switching Characterization of GaN Power Devices," in IEEE Transactions on Electron Devices，2022 doi: 10.1109/TED.2022.3168238.
  • Wang QN, Zhao C, Liu W, Mitrovic IZ, van Zalinge H, Liu YN, Zhao CZ. 2022. Synaptic transistors based on transparent oxide for neural image recognition. Solid-State Electronics. 194:Article 108342. https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108342
  • Wang, Qinan ; Zhao, Tianshi ; Zhao, Chun, Liu, W., Yang, L., Liu, Y., Sheng, D., Xu, R., Ge, Y., Tu, X., Gao, H., Zhao, C. / Solid-State Electrolyte Gate Transistor with Ion Doping for Biosignal Classification of Neuromorphic Computing. In: Advanced Electronic Materials. 2022.
  • Ang Li, Yi Shen, Ziqian Li, Ivona Z. Mitrovic, Huiqing Wen, Wen Liu*, "A Monolithically Integrated 2-Transistor Voltage Reference With a Wide Temperature Range Based on AlGaN/GaN Technology," in IEEE Electron Device Letters, vol. 43, no. 3, pp. 362-365, March 2022, doi: 10.1109/LED.2022.3146263.( IF 4.187)
  • Yutao Cai*, Yuanlei Zhang, Ye Liang, Ivona Z. Mitrovic, Huiqing Wen, Wen Liu*, and Cezhou Zhao, "Low ON-State Resistance Normally-OFF AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Partially Recessed Gate and ZrOₓ Charge Trapping Layer," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 9, pp. 4310-4316, Sept. 2021, doi: 10.1109/TED.2021.3100002.
  • Ang Li, Miao Cui, Yi Shen, Ziqian Li, Wen Liu*, Ivona Z. Mitrovic, Huiqing Wen, and Cezhou Zhao*, Monolithic comparator and sawtooth generator of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with threshold voltage modulation and high-temperature applications, IEEE Transactions on Electron Devices, Volume: 68, Issue: 6, Jun 2021. pp 2673-2679. DOI: 202110.1109/TED.2021.3075425
  • Miao Cui, Qinglei Bu, Yutao Cai, Wen Liu, Huiqing Wen, Cezhou Zhao et al, “Monolithic Integration Design of GaN-based Power Chip Including Gate Driver for High-Temperature DC-DC Converters” 25 April 2019 Jpn. J. Appl. Phys. 58- 056505
  • Y. Cai et al., "Effect of High-k Passivation Layer on High Voltage Properties of GaN Metal-Insulator-Semiconductor Devices," in IEEE Access, vol. 8, pp. 95642-95649, 2020, doi: 10.1109/ACCESS.2020.2995906.
  • Yutao Cai, Wen Liu, Miao Cui, Ruize Sun, Yung.C Liang, Huiqing Wen, Li Yang, Siti Supardan, Ivona Z. Mitrovic, Stephen Taylor, Paul R. Chalker and Ce Zhou Zhao, “Effect of Surface Treatment on Electrical Properties of GaN Metal Insulator-Semiconductor Devices with Al2O3 Gate Dielectric” Japanese Journal of Applied Physics, 12 March 2020, Vol 59, No.4, DOI: 10.35848/1347-4065/ab7863
  • Miao Cui, Ruize Sun, Qinglei Bu, Wen Liu, Huiqing Wen, Ang Li, Yung Liang, Cezhou Zhao, “Monolithic GaN Half-Bridge Stages with Integrated Gate Drivers for High Temperature DC-DC Buck Converters”. IEEE Access. Vol:7, Page(s): 184375 - 184384 Dec, 09 2019 DOI: 10.1109/ACCESS.2019.2958059.
  • 钱洪途,朱永生,邓光敏,刘雯,陈敦军,裴轶.级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用[J]. 电源学报, 2019,17(3):38-43 核心期刊、JST,CSCD
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研究领域
宽禁带半导体氮化镓、碳化硅电力电子功率器件的设计、制造、分析表征以及可靠性研究，及其单片功率集成电路设计与制备关键技术。
应用场景
1 绿色能源与电力系统 | 分布式发电、储能系统、智能电网
2 交通电气化 | 车载电源、电机驱动、充电设施
3 数据与通信 | 服务器电源、通信能源、基站供电
4 消费电子与工业电源 | 快充电源、工业驱动、无人机动力
5 前瞻技术与特殊领域 | 航空航天、射频能量、极端环境设备
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从高性能器件开发与单片集成技术出发，刘雯老师的核心技术应用场景紧密围绕高效率、高功率密度、高可靠性的核心需求展开，贯穿了从能源产生、输送、存储到消费的全链条。

  • 绿色能源与电力系统：提升电能转换效率，支持“双碳”战略。
  • | 分布式光伏发电与储能系统：应用高效GaN DC-DC转换电路，能显著提升太阳能逆变器、储能变流器中电能转换环节的效率与功率密度，减少能量损耗和系统体积。
    | 智能电网与电能质量：将GaN功率集成芯片用于有源电力滤波器、动态电压调节器等装置，可以更快、更精准地补偿无功功率、治理谐波，提升电网的电能质量和运行稳定性。

  • 交通电气化：利用GaN器件高频高效的优势，解决电动汽车对电驱系统体积、重量和续航的苛刻要求。
  • | OBC/DC-DC：在车载充电机（OBC）和车载DC-DC转换器中，采用集成驱动的硅基GaN半桥等方案，可以实现更小、更轻、充电更快的电源模块，增加车辆空间和续航。
    | 电机驱动与电控系统：高性能GaN功率器件能够承受更高的工作频率和功率密度，用于主驱动逆变器，可提升电机控制效率与响应速度，同时降低系统散热需求。

  • 数据与通信基础设施：急需高效节能的电源解决方案需求迫切。
  • | 数据中心服务器电源（PSU）：采用基于硅基GaN技术的高效率、高功率密度电源模块，可以大幅降低服务器集群的散热成本，直接降低数据中心PUE值。
    | 5G通信基站供电：将GaN功率器件应用于基站内部的射频功放电源和分布式电源系统，能够提供更高效、更紧凑的供电方案。

  • 消费电子与工业电源
  • | 快充充电器与适配器：高性能GaN功率开关器件可实现百瓦级大功率、小体积快充头的核心，已被广泛应用于手机、笔记本电脑的快充配件。
    | 工业电机驱动与自动化设备：在工业机器人、数控机床等设备的伺服驱动器中，使用GaN器件可以提升开关频率，实现更精密的电机控制和更快的响应速度，同时减小电控柜体积。

  • 前瞻技术与特殊领域：GaN材料本身具有抗辐照能力强等特性，适合应用于一些特殊环境。
  • | 航空航天电源系统：针对航天器对电源系统高效率、高可靠性和轻量化的极端要求，高可靠性的GaN功率器件与集成芯片可调节卫星的电源的分配系统，减轻发射载荷。
    | 射频能量传输与极端环境应用：GaN器件材料的特殊性座位在深井勘探、特种传感等极端环境下电力电子装备的材料。
    • 工作经历
    西浦智能工程学院电子与电气工程系 副教授
    教育背景
    2008年, 南洋理工大学, 博士
    2004年，北京大学，学士
    科研项目
    1、高性能GaN基器件无金工艺和CMOS绝缘薄膜生长技术研究
    2、应用GaN基电力电子器件提高无线充电传输效率
    3、高性能硅基氮化镓电力电子器件技术开发及产业化
    4、应用GaN器件改善无线电能传输效率的研究
    产学研合作
    红与蓝微电子
    华为技术
    纳维科技
    能讯高能半导体等
    专利项目
    1、一种使用栅介质去实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法 CN110581068A
    2、一种提升氮化镓晶体管击穿电压的方法 CN110648914B
    3、一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法 CN110676172B
    4、一种提升氮化镓晶体管击穿电压的方法 CN110648914B
    5、一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法 CN110676172B
    6、一种鳍式场效应晶体管及其制备方法 CN116666436B

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